富士通MB85RS4MTPF-G-BCERE1|4M bit，40MHz频率，10万亿次读写铁电存储详细介绍

富士通MB85RS4MTPF-G-BCERE1|4M bit，40MHz频率，10万亿次读写铁电存储器

MB85RS4MT是富士通4M (512K*8) Bit SPI FeRAM(铁电随机存取存储器)芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术进行成型非易失性存储单元。

MB85RS4MT采用SPI (Serial Peripheral Interface)接口。

MB85RS4MT与SRAM一样，能够在不使用备用电池的情况下保留数据。

MB85RS4MT中使用的内存单元可以用于10万亿个读/写操作，这是一个重要的数字

改进了闪存和E2PROM支持的读写操作的数量。

MB85RS4MT不像闪存或E2PROM那样需要很长时间写入数据，并且MB85RS4MT不需要等待时间。

富士通FRAM授权代理商

MB85RS4MTPF-G-BCERE1原装***

数据保留:10年(+85℃)，95年(+55℃)，超过200年(+35℃)

工作电源电压:1.8 V ~ 3.6 V

低功耗:工作电源电流2.6mA (Max@40 MHz)

待机电流50uA()

睡眠电流8uA()

工作环境温度范围:-40°C至+85°C

包装:8针塑料SOP (208mil)

RoHS compliant

富士通铁电一级代理商

常见铁电型号：

串行IIC接口

MB85RC04V，4Kb，3.0-5.5V，与FM24C04完全兼容

MB85RC16，16Kb，27-3.6V，与FM24CL16完全兼容

MB85RC16V，16K，3.0-5.5V，与FM24C16完全兼容

MB85RC64，64Kb，27-3.6V，与FM24CL64完全兼容

MB85RC64V，64Kb，3.0-55V，与FM24C64完全兼容

MB85RC128，128Kb，27-3.6V，与FM24V01完全兼容

MB85RC256V，256Kb，27-5.5V，与FM24V02和FM24W256完全兼容

MB85RC512T，512Kb，1.8-3.6V，与FM24V05和FM24W512完全兼容

MB85RC1MT，1Mb，1.8-3.6V，与FM24V10和FM24VN10完全兼容

串行SPI接口

MB85RS16，16Kb，2.7-3.6V，与FM25L16、FM25P16、FM25L04完全兼容

MB85RS64V，64Kb，3.0-5.5V，与FM25640、FM25040 完全兼容

MB85RS64，64Kb，27-3.6V，与FM25CL64完全兼容

MB85RS128B，128Kb，27-3.6V，与FM25V01完全兼容

MB85RS256B， 256Kb，2.7-3.6V，与FM25L256、FM25V02FM25W256完全兼容

MB85RS512T，512Kb，18-3.6V，与FM25V05和FM25W512完全兼容

MB85RS1MT1Mb，1.8-3.6V，与FM25V10完全兼容

MB85RS2MT: 2Mb，1.8-3.6V，与FM25V20、FM25H20完全兼容

并行接口

SPI 车规级